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La estrategia HBM de SK hynix triunfa en la memoria para IA, pero su cuota de DRAM está cayendo

14 sept
15 min de lectura

SK hynix ha reforzado su liderazgo en HBM pese a perder 13 puntos porcentuales de cuota de ingresos globales de DRAM en un año. La estrategia HBM de SK hynix convirtió a la empresa en un proveedor clave de aceleradores de IA. También dejó al fabricante de chips menos expuesto a un auge repentino de los precios de la memoria convencional.

Esa tensión importa más que un cambio rutinario en las clasificaciones trimestrales. SK hynix registró resultados récord mientras Samsung Electronics amplió su ventaja en DRAM y Micron estuvo a punto de alcanzar el segundo puesto. Los mismos compromisos que aseguraron la ventaja inicial de SK hynix en memoria para IA limitaron su capacidad para aprovechar una subida de precios más amplia.

La compañía está acelerando la producción de la nueva DRAM 1c, su proceso de sexta generación de la clase de 10 nanómetros. Esta transición respalda tanto la memoria convencional para servidores como los futuros productos HBM4E. Es una prueba de si SK hynix puede defender su franquicia de IA sin ceder demasiado del mercado más amplio de memoria.

Los ingresos récord llegaron con una posición menor en DRAM

SK hynix creció rápidamente durante el segundo trimestre, pero Samsung y Micron crecieron aún más rápido.

Counterpoint Research estimó que la cuota de DRAM de SK hynix cayó del 39% en el segundo trimestre de 2025 al 26% un año después. Samsung alcanzó el 39%, mientras que Micron subió al 25%. Esto dejó a SK hynix apenas un punto porcentual por delante de Micron en la clasificación por ingresos.

La caída no representó un desplome de las ventas. Counterpoint afirmó que los ingresos trimestrales de DRAM de SK hynix aumentaron un 214% respecto al año anterior. La empresa aun así perdió cuota porque sus competidores captaron una mayor parte de una expansión de mercado excepcionalmente fuerte.

Datos independientes sobre ingresos de DRAM de TrendForce mostraron el mismo patrón competitivo. La firma de investigación estimó que los ingresos del sector aumentaron un 59,5% respecto al trimestre anterior, hasta alcanzar casi los 154.730 millones de dólares.

TrendForce situó a Samsung en primer lugar con el 39,4% de los ingresos del segundo trimestre. SK hynix le siguió con el 24,9%, y Micron alcanzó el 23,3%. Las diferencias entre ambos conjuntos de datos reflejan sus metodologías, pero los dos muestran el mismo resultado direccional.

Samsung se benefició de los sólidos precios de la DRAM convencional, mayores envíos de bits y el inicio temprano de la producción de HBM4. Sus ingresos estimados aumentaron un 63,4% respecto al primer trimestre. Los ingresos de Micron crecieron un 65,5% al priorizar memoria para servidores de mayor precio.

Los ingresos de SK hynix aumentaron un 37,9% de forma secuencial, un resultado que parecería excepcional en la mayoría de los periodos. Sin embargo, su combinación de productos limitó el beneficio derivado de la subida de los precios de la DRAM convencional. Por ello, su crecimiento pareció moderado frente al de dos rivales que avanzaban más rápido.

La memoria de alto ancho de banda, o HBM, apila verticalmente matrices de DRAM para suministrar más datos a los procesadores con un menor consumo energético. Es esencial para los aceleradores de IA, cuyos procesadores de otro modo pueden permanecer inactivos mientras esperan datos de los modelos.

HBM tuvo la mayor proporción de envíos de bits en SK hynix entre los tres mayores proveedores, según TrendForce. Esa especialización ayudó a la compañía durante el auge inicial de la infraestructura de IA. Se convirtió en una desventaja cuando los precios de la DRAM convencional aumentaron con mayor fuerza.

Por tanto, el descenso de la cuota de DRAM de SK hynix no indica que los clientes hayan abandonado sus productos de memoria. Muestra cómo una combinación cambiante de precios puede remodelar las clasificaciones por ingresos incluso cuando todos los grandes proveedores están creciendo.

La posición de SK hynix sigue siendo comercialmente significativa. Sin embargo, el resultado del segundo trimestre cuestiona la idea de que el liderazgo en HBM produzca automáticamente liderazgo en toda la categoría de DRAM.

Por qué la estrategia HBM de SK hynix no aprovechó la bonanza de la memoria convencional

SK hynix optimizó pronto para la escasa memoria de IA, mientras que la mayor fortaleza de precios del mercado se desplazó hacia productos menos especializados.

La expansión temprana de HBM de la empresa fue racional. Los proveedores de aceleradores de IA necesitaban volúmenes fiables, y las pilas avanzadas requerían una estrecha coordinación entre el diseño de memoria, el encapsulado y la cualificación de sistemas. Los acuerdos a largo plazo ofrecieron a SK hynix una demanda más clara y protegieron las inversiones necesarias para la producción.

Estos acuerdos también reforzaron su relación con Nvidia. La colaboración ayudó a SK hynix a convertirse en el mayor proveedor de HBM mientras sus competidores resolvían problemas de cualificación de productos y fabricación.

Sin embargo, los acuerdos a largo plazo pueden intercambiar flexibilidad de precios por una demanda predecible. Habitualmente establecen fórmulas de precios, límites máximos, mínimos o mecanismos de negociación periódica antes de que se envíen todas las unidades. Las condiciones exactas varían según el cliente y el producto.

Counterpoint atribuyó parte del desempeño de SK hynix en el segundo trimestre a acuerdos firmados antes de que los precios de la memoria se aceleraran. Su análisis de clasificación de mercado indicó que los precios fijos anteriores dejaron menos margen para capturar las últimas subidas del mercado.

El problema se hizo más visible durante la transición de HBM3E a HBM4. Los precios medios de los productos HBM3E existentes cayeron respecto al año anterior, mientras que los lanzamientos de HBM4 llegaron más tarde de lo previsto. Los precios de la DRAM convencional subieron durante el mismo periodo.

Esto produjo una inversión inusual. La categoría premium siguió siendo estratégicamente central, pero la DRAM convencional ofreció una ventaja de precios más inmediata. SK hynix ya había comprometido una mayor proporción de su producción al segmento que enfrentaba presión temporal sobre los precios.

La compañía rechaza cualquier sugerencia de que sus contratos sean inflexibles. SK hynix afirma que las estructuras de los acuerdos difieren según el cliente y el producto. También sostiene que estos contratos pueden proteger los resultados a la baja, al tiempo que preservan el acceso a una demanda y unos precios favorables.

Esa explicación es creíble, pero la economía precisa de los contratos no es pública. Los inversores no pueden comparar de forma independiente límites máximos, calendarios de ajuste ni márgenes específicos por cliente. Los datos de cuota de mercado ofrecen una visión indirecta, no una auditoría contractual completa.

HBM también consume recursos de producción de forma distinta a la DRAM convencional. Requiere múltiples matrices de memoria, pasos de fabricación adicionales, encapsulado avanzado y una validación estricta. Por tanto, una pila terminada representa más que una simple sustitución entre productos equivalentes.

La asignación de capacidad se convierte en una decisión de cartera. Cada oblea, línea de encapsulado y equipo de ingeniería asignado a HBM implica un coste de oportunidad. Durante la demanda inicial de IA, ese coste parecía pequeño frente a los márgenes y el valor estratégico de HBM.

El cálculo cambió cuando se redujo la oferta de DRAM convencional. Los clientes de PC, smartphones y servidores se enfrentaron a una disponibilidad limitada después de que los fabricantes destinaran más recursos a la memoria avanzada. El aumento de los precios recompensó a los proveedores que conservaron una mayor flexibilidad entre líneas de productos.

Samsung captó ambas partes de ese cambio. Se benefició de la DRAM convencional al tiempo que ampliaba los envíos de HBM. Micron también ganó gracias a su combinación de productos centrada en servidores y a su creciente presencia en memoria para IA.

SK hynix mantuvo la posición más sólida en HBM. Sin embargo, el trimestre mostró que la especialización genera exposición además de poder de fijación de precios. Un líder puede dominar el producto más comentado del mercado y aun así perder cuota en la categoría más amplia.

Samsung y Micron presionan a SK hynix desde ambos lados

Samsung combina ahora escala con una posición más fuerte en HBM, mientras Micron desafía a SK hynix mediante el rápido crecimiento de la memoria para servidores.

Samsung es el principal rival inmediato porque puede competir en toda la cartera de memoria. Lidera la DRAM convencional, está ampliando los envíos de HBM y puede dirigir grandes inversiones hacia procesos de fabricación más nuevos.

Counterpoint estimó la cuota de DRAM de Samsung en el segundo trimestre en un 39%, igualando su nivel de 2024. Esto representó una fuerte reversión respecto al año anterior, cuando SK hynix lideró brevemente el mercado.

La ventaja de Samsung no se debe simplemente a una mayor producción. Su combinación de productos más amplia le permitió captar los crecientes precios de la DRAM convencional mientras añadía envíos de HBM4. Ese equilibrio redujo el coste de oportunidad de apostar por un solo segmento.

La competencia en HBM también se intensificó. Los datos anteriores del primer trimestre situaban a SK hynix con el 58% de los ingresos de HBM, mientras Samsung y Micron tenían cada una el 21%. Un año antes, SK hynix contaba con el 69%, lo que indica que su liderazgo seguía siendo amplio, pero se estaba reduciendo.

Samsung ha adoptado una vía tecnológica más agresiva para HBM4. Aplicó DRAM 1c a esta generación y promocionó velocidades operativas de alrededor de 11,7 gigabits por segundo. SK hynix eligió la consolidada DRAM 1b para HBM4 con el fin de priorizar una producción masiva estable.

La estrategia HBM de SK hynix considera la fabricabilidad como una característica competitiva. Un producto con especificaciones principales ligeramente inferiores aún puede ganar si se cualifica antes, mantiene rendimientos consistentes y se envía en volúmenes fiables.

El enfoque de Samsung da más peso al avance temprano de procesos. Si sus rendimientos de 1c y las cualificaciones de clientes se mantienen, Samsung puede ofrecer especificaciones superiores mientras amplía la producción. Eso presionaría a SK hynix tanto en rendimiento como en volumen.

Micron crea un riesgo diferente. No es el líder actual en HBM, pero sus ingresos generales de DRAM casi igualaron los de SK hynix durante el segundo trimestre. Counterpoint estimó la cuota de Micron en el 25%, a solo un punto de su competidor coreano.

Los ingresos de DRAM de Micron aumentaron cinco veces respecto al año anterior, según Counterpoint. Su estrategia hizo hincapié en la DRAM para servidores durante un periodo en el que la capacidad seguía siendo limitada y los precios subían. Ese enfoque captó demanda relacionada tanto con servidores convencionales como con infraestructura de IA.

El resultado es una competencia en dos frentes. Samsung está reconstruyendo el liderazgo desde arriba mediante escala y HBM4. Micron se está acercando desde abajo mediante productos para servidores, diversificación de clientes y una asignación disciplinada.

SK hynix no puede responder a estas presiones abandonando HBM. Hacerlo debilitaría la franquicia que la diferencia y conecta a la empresa con las principales plataformas de aceleradores. En su lugar, debe aumentar su flexibilidad sin comprometer sus compromisos con los clientes.

El problema competitivo va más allá de un solo trimestre. Los contratos de IA a largo plazo pueden asegurar volúmenes durante años, mientras que las transiciones de procesos exigen importantes inversiones de capital y trabajo de cualificación. Las decisiones tomadas hoy determinan qué puede ofrecer cada proveedor varias generaciones de productos después.

Esta es también la razón por la que la competencia importa para Corea del Sur. Samsung y SK hynix sostienen la industria de memoria del país, el rendimiento de las exportaciones, la demanda de equipos y la fuerza laboral técnica. Su fortaleza combinada no elimina la competencia entre ambas.

Que Samsung gane cuota puede respaldar la posición agregada de Corea. Sin embargo, que SK hynix pierda flexibilidad crea un riesgo específico para la empresa y una cuestión estratégica más amplia. Corea necesita liderazgo en memoria premium para IA sin dejar segmentos convencionales rentables abiertos a proveedores extranjeros.

HBM4E de SK hynix depende de una aceleración más rápida de DRAM 1c

La respuesta de la compañía no es retirarse de HBM, sino una transición de proceso que sirva conjuntamente a la memoria premium y convencional.

SK hynix está aumentando rápidamente la proporción de DRAM fabricada con su proceso 1c. Estimaciones del sector citadas por Chosunbiz situaron esa proporción cerca del 10% en el primer trimestre y del 13% en el segundo.

Se preveía que la cuota alcanzara alrededor del 24% durante el tercer trimestre y el 34% en el cuarto. Si ese calendario se cumple, 1c superaría al proceso 1b más antiguo durante el primer trimestre de 2027.

Un nodo de fabricación más pequeño puede producir más bits por oblea cuando los rendimientos se mantienen estables. Esto mejora la eficiencia de costes y amplía la producción efectiva sin requerir que el inicio de obleas aumente al mismo ritmo.

SK hynix espera que la transición respalde productos de uso general, así como la futura memoria para IA. Su hoja de ruta de DRAM 1c vincula directamente el proceso con HBM4E, la generación que se espera suceda a HBM4.

Esto crea un puente entre las dos vertientes de su cartera. Las líneas 1c más productivas pueden suministrar DDR5 y productos para servidores, al tiempo que preparan los dies centrales para SK hynix HBM4E. La empresa gana flexibilidad si ambas familias de productos comparten una base de proceso madura.

Esa estrategia difiere de su decisión para HBM4. SK hynix utilizó DRAM 1b para HBM4 y la combinó con su consolidado método de empaquetado MR-MUF. MR-MUF rellena los espacios entre los dies apilados y ayuda a gestionar el calor, al tiempo que favorece la producción en masa.

La elección conservadora para HBM4 redujo el número de cambios simultáneos en la fabricación. Introducir a la vez un nodo DRAM más reciente y un encapsulado avanzado puede aumentar el riesgo de ejecución. SK hynix aplazó esa combinación hasta HBM4E.

Sin embargo, para HBM4E la estabilidad por sí sola no será suficiente. Los futuros aceleradores exigirán mayor ancho de banda y una eficiencia energética mejorada. Samsung y Micron también perfeccionarán sus procesos antes de que esos productos alcancen una implantación a gran escala.

Por tanto, la transición actual tiene dos objetivos. SK hynix debe recuperar productividad en el mercado más amplio de DRAM. También debe garantizar que SK hynix HBM4E siga siendo competitiva frente a productos fabricados con procesos de avance similar.

El rendimiento de fabricación es la principal incertidumbre. El rendimiento mide la proporción de chips utilizables producidos a partir de cada oblea. Un nuevo proceso mejora la densidad teórica, pero rendimientos bajos pueden eliminar sus ventajas de coste y capacidad.

La homologación de los clientes crea otra barrera. Los proveedores de aceleradores de IA prueban la memoria en rendimiento, comportamiento térmico, fiabilidad e integración con sus sistemas. Un fabricante no puede convertir una muestra técnica en ingresos sustanciales hasta que los clientes la aprueben.

La mezcla de producción reportada sigue siendo una estimación del sector, no una serie trimestral publicada por la empresa. Esto hace que la dirección de la expansión sea más útil que cualquier porcentaje aislado. Los rendimientos reales y los calendarios de los clientes determinarán si la transición aporta los beneficios esperados.

SK hynix también ha aprobado una importante expansión nacional. En agosto, su consejo autorizó 35,2 billones de wones para una segunda fábrica en Yongin y 19,1 billones de wones para la instalación M17 en Cheongju.

El plan de inversión en fábricas suma 54,3 billones de wones. Yongin está concebida como un centro de producción de DRAM de próxima generación, incluida HBM, mientras que Cheongju ampliará la capacidad de NAND.

Las nuevas fábricas no resolverán los problemas inmediatos de asignación. Las plantas de semiconductores requieren años para construirse, equiparse, homologarse y aumentar la producción. Los resultados a corto plazo dependen en mayor medida de la migración y la optimización de procesos dentro de las instalaciones existentes.

Ese calendario convierte la expansión de 1c en la respuesta operativa más importante. Ofrece una vía para obtener más bits antes de que las mayores instalaciones nuevas alcancen una escala útil.

La estrategia de Corea se enfrenta a un punto ciego en la DRAM convencional

Centrarse en la memoria prémium para IA aumenta el valor nacional, pero también abre oportunidades en productos que financian la escala y el alcance entre clientes.

Corea del Sur sigue siendo el centro de la producción avanzada de memoria a través de Samsung y SK hynix. Sus capacidades de HBM sitúan a los proveedores coreanos dentro de las cadenas de suministro de aceleradores de IA más valiosas.

Sin embargo, el liderazgo en productos prémium no vuelve estratégicamente irrelevante a la DRAM convencional. La memoria estándar sigue siendo esencial para CPU, smartphones, ordenadores personales, equipos de red y servidores de uso general.

Los propios sistemas de IA requieren ambas categorías. Las GPU usan HBM para un acceso a datos extremadamente rápido, mientras que los procesadores anfitriones dependen de grandes cantidades de DRAM convencional para servidores. Por tanto, el crecimiento de la infraestructura de IA puede tensionar ambos mercados.

El peligro surge cuando los proveedores establecidos desvían demasiada atención de los segmentos maduros. Los clientes siguen necesitando esos productos, y las subidas de precios crean un punto de entrada para competidores dispuestos a atenderlos.

ChangXin Memory Technologies de China, o CXMT, ilustra esa oportunidad. Counterpoint estimó que los ingresos de CXMT en el segundo trimestre aumentaron un 716% interanual. Su expansión se centró en la DRAM convencional y la demanda interna china.

Un análisis independiente del mercado de CXMT informó de que la empresa recaudó 29.500 millones de yuanes mediante una cotización en Shanghái. Planea destinar parte de esos fondos a procesos de DRAM e investigación.

CXMT aún enfrenta limitaciones significativas. El acceso a equipos avanzados, el rendimiento de producción, el desempeño térmico y la homologación de clientes internacionales pueden ralentizar su progreso. La producción masiva de DRAM madura también es distinta de homologar HBM competitiva.

Esos límites no deben ocultar el patrón estratégico. Una brecha de suministro permite a un productor más nuevo generar volumen, mejorar su experiencia de fabricación y profundizar las relaciones con los clientes. Los beneficios obtenidos de productos convencionales pueden financiar después desarrollos más avanzados.

La misma lógica moldeó ciclos anteriores de la memoria. Los proveedores acumularon conocimiento de procesos mediante producción de alto volumen antes de pasar a productos más exigentes. La participación en el mercado importa incluso cuando los productos iniciales no lideran en rendimiento.

Por tanto, Corea se enfrenta a un problema de cartera, no a una elección simple entre chips avanzados y convencionales. HBM aporta mayor valor estratégico, mientras que la DRAM convencional preserva la escala y bloquea oportunidades para los competidores.

La reciente caída de cuota de SK hynix hace visible esa disyuntiva. La empresa no ha perdido su posición tecnológica de la noche a la mañana. Ha permitido que los competidores capturen una mayor parte del crecimiento de ingresos en productos fuera de su franquicia más sólida.

Samsung parece actualmente mejor equilibrada. Amplió HBM mientras conservaba suficiente exposición para beneficiarse de los precios convencionales. Esto no demuestra que la estrategia de Samsung vaya a ganar en todas las generaciones, pero reforzó a la empresa durante esta fase del mercado.

La política gubernamental también tiene un alcance limitado. El apoyo público puede acelerar la infraestructura, el desarrollo de talento, la investigación y las cadenas de suministro nacionales. No puede determinar qué combinación de productos premiarán los clientes cada trimestre.

La ejecución corporativa sigue siendo decisiva. Los proveedores coreanos deben homologar productos a tiempo, mantener los rendimientos, asegurar equipos y negociar contratos que preserven la flexibilidad. Esas tareas se desarrollan a nivel de empresa, incluso cuando su resultado tiene implicaciones nacionales.

El riesgo mayor es la complacencia que genera el dominio agregado. Samsung y SK hynix juntas aún controlan una gran parte de la DRAM mundial. Esa posición combinada puede ocultar trayectorias empresariales divergentes y competencia emergente.

Una estrategia coreana resiliente necesita que ambas empresas compitan eficazmente a través de los ciclos. Una compañía no puede compensar permanentemente las oportunidades perdidas de la otra, especialmente a medida que Micron y CXMT se expanden desde direcciones distintas.

Tres señales mostrarán si SK hynix puede reequilibrarse

La próxima prueba es medible: los rendimientos de 1c, la economía de clientes de HBM4 y la brecha entre SK hynix y Micron.

La primera señal es el aumento de producción de 1c durante el cuarto trimestre. Las estimaciones del sector prevén que 1c alcance alrededor del 34% de la producción de DRAM de SK hynix al cierre del año.

Alcanzar ese nivel con rendimientos estables reforzaría la posición de costes de la empresa y aumentaría los bits disponibles. No lograrlo debilitaría el puente previsto entre la DRAM convencional y SK hynix HBM4E.

Los inversores deberían seguir los comentarios de la empresa sobre crecimiento de bits, migración de procesos y homologación, en lugar de centrarse únicamente en la cuota de producción reportada. Esos indicadores operativos pueden revelar si el nuevo nodo está generando volumen utilizable.

La segunda señal es el precio y la mezcla de clientes de HBM4. Los envíos comenzaron a aumentar durante el tercer trimestre a medida que nuevos sistemas de Nvidia y AMD entraban en el mercado. Esa transición debería reducir el efecto de la caída de precios de HBM3E.

El volumen por sí solo no resolverá la cuestión. El asunto crucial es si SK hynix puede capturar mayor valor de HBM4 manteniendo contratos adaptables a los cambios del mercado. La diversificación de clientes importará junto con la demanda de Nvidia.

El progreso de Samsung ofrece la comparación. Si Samsung combina volúmenes crecientes de HBM4 con sólidos ingresos de DRAM convencional, su enfoque equilibrado ganará más credibilidad. Si su proceso avanzado genera problemas de rendimiento, la decisión de SK hynix de priorizar la estabilidad parecerá más sólida.

La tercera señal es la brecha de cuota de ingresos con Micron. Counterpoint situó solo un punto porcentual entre las empresas en el segundo trimestre. Que Micron supere a SK hynix sería una advertencia visible sobre la flexibilidad de cartera.

Tal cambio no pondría fin al liderazgo de SK hynix en HBM. Mostraría que un competidor con una posición menor en HBM puede generar ingresos comparables de DRAM mediante productos para servidores, precios y asignación de capacidad.

CXMT pertenece a la lista de seguimiento a más largo plazo, pero su significado inmediato es distinto. El crecimiento de su cuota en DRAM convencional mostraría que los proveedores establecidos dejaron una oportunidad duradera. El avance hacia una HBM homologada elevaría aún más las implicaciones estratégicas.

La estrategia HBM de SK hynix sigue siendo uno de los éxitos más claros del auge del hardware de IA. Situó a la empresa en el centro del suministro de aceleradores y transformó su posición competitiva.

Ahora ese éxito debe evolucionar. SK hynix necesita preservar un suministro fiable de HBM, mejorar la flexibilidad contractual, acelerar los rendimientos de 1c y proteger su posición más amplia en DRAM. Hacer las cuatro cosas es más difícil que simplemente producir más memoria prémium.

Para los desarrolladores y compradores empresariales de IA, el resultado influirá en la disponibilidad de aceleradores, las configuraciones de servidores y los costes de infraestructura. El suministro de memoria puede limitar los despliegues incluso cuando los procesadores están disponibles.

Los próximos meses deberían responder a una pregunta directa. ¿Puede SK hynix convertir su especialización en HBM en una ventaja equilibrada en memoria, o Samsung y Micron seguirán capturando el crecimiento a su alrededor?

 
 

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