La stratégie HBM de SK hynix s’impose dans la mémoire IA, mais sa part de marché DRAM recule

SK hynix a consolidé son avance dans le HBM malgré la perte de 13 points de pourcentage de sa part mondiale des revenus DRAM en un an. La stratégie HBM de SK hynix a fait de l’entreprise un fournisseur central d’accélérateurs IA. Elle a également davantage exposé le fabricant de puces à une soudaine flambée des prix de la mémoire conventionnelle.

Cette tension va au-delà d’un simple changement dans les classements trimestriels. SK hynix a publié des résultats records tandis que Samsung Electronics creusait son avance dans la DRAM et que Micron se rapprochait de la deuxième place. Les mêmes engagements qui ont assuré l’avantage précoce de SK hynix dans la mémoire IA ont limité sa capacité à profiter d’une hausse des prix plus généralisée.

L’entreprise accélère désormais la production de DRAM 1c plus récente, son procédé de sixième génération dans la classe des 10 nanomètres. Cette transition soutient à la fois la mémoire serveur conventionnelle et les futurs produits HBM4E. Elle déterminera si SK hynix peut défendre son activité IA sans céder une part trop importante du marché plus large de la mémoire.

Des revenus records, mais une position DRAM réduite

SK hynix a connu une forte croissance au deuxième trimestre, mais Samsung et Micron ont progressé encore plus vite.

Counterpoint Research estime que la part de SK hynix dans la DRAM est passée de 39 % au deuxième trimestre 2025 à 26 % un an plus tard. Samsung a atteint 39 %, tandis que Micron est monté à 25 %. SK hynix ne conservait ainsi qu’un point de pourcentage d’avance sur Micron dans le classement des revenus.

Ce recul ne traduisait pas un effondrement des ventes. Counterpoint a indiqué que les revenus trimestriels de SK hynix dans la DRAM avaient augmenté de 214 % par rapport à l’année précédente. L’entreprise a néanmoins perdu des parts de marché, car ses concurrents ont capté une plus grande part d’une expansion exceptionnellement forte du marché.

Des données distinctes sur les revenus DRAM de TrendForce ont montré la même dynamique concurrentielle. Le cabinet d’études estime que les revenus du secteur ont augmenté de 59,5 % par rapport au trimestre précédent, pour atteindre près de 154,73 milliards de dollars.

TrendForce place Samsung en première position avec 39,4 % des revenus du deuxième trimestre. SK hynix suivait avec 24,9 %, et Micron atteignait 23,3 %. Les différences entre les deux jeux de données reflètent leurs méthodologies respectives, mais ils indiquent tous deux la même tendance.

Samsung a bénéficié de prix élevés pour la DRAM conventionnelle, d’une hausse des expéditions en bits et du démarrage précoce de la production de HBM4. Ses revenus estimés ont progressé de 63,4 % par rapport au premier trimestre. Les revenus de Micron ont augmenté de 65,5 %, l’entreprise privilégiant la mémoire serveur à plus forte valeur.

Les revenus de SK hynix ont progressé de 37,9 % d’un trimestre à l’autre, un résultat qui semblerait exceptionnel dans la plupart des périodes. Toutefois, son mix de produits a limité les bénéfices tirés de l’envolée des prix de la DRAM conventionnelle. Sa croissance a donc semblé plus contenue face à deux concurrents progressant plus rapidement.

La mémoire à large bande passante, ou HBM, empile verticalement des puces DRAM afin d’alimenter les processeurs en davantage de données avec une consommation énergétique réduite. Elle est essentielle aux accélérateurs IA, dont les processeurs risqueraient autrement de rester inactifs en attendant les données des modèles.

Selon TrendForce, le HBM représentait la part la plus élevée des expéditions en bits chez SK hynix parmi les trois plus grands fournisseurs. Cette spécialisation a aidé l’entreprise durant le premier essor des infrastructures IA. Elle est devenue un désavantage lorsque les prix de la DRAM conventionnelle ont augmenté plus fortement.

Le recul de la part de SK hynix dans la DRAM ne signifie donc pas que les clients ont abandonné ses produits mémoire. Il montre comment l’évolution du mix de prix peut remodeler les classements de revenus, même lorsque tous les grands fournisseurs progressent.

La position de SK hynix reste commercialement importante. Pourtant, le résultat du deuxième trimestre remet en question l’idée selon laquelle le leadership dans le HBM entraîne automatiquement une domination de l’ensemble de la catégorie DRAM.

Pourquoi la stratégie HBM de SK hynix a manqué l’aubaine de la mémoire conventionnelle

SK hynix s’est très tôt optimisé pour une mémoire IA rare, tandis que la plus forte dynamique de prix du marché s’est déplacée vers des produits moins spécialisés.

L’expansion précoce de SK hynix dans le HBM était rationnelle. Les fournisseurs d’accélérateurs IA avaient besoin de volumes fiables, et les empilements avancés exigeaient une coordination étroite entre la conception mémoire, l’encapsulation et la qualification système. Les accords à long terme ont donné à SK hynix une demande plus prévisible et protégé les investissements nécessaires à la production.

Ces accords ont également renforcé sa relation avec Nvidia. Ce partenariat a aidé SK hynix à devenir le premier fournisseur de HBM, tandis que ses concurrents résolvaient des problèmes de qualification produit et de fabrication.

Cependant, les accords à long terme peuvent échanger la flexibilité tarifaire contre une demande prévisible. Ils établissent généralement des formules de prix, des plafonds, des planchers ou des mécanismes de négociation périodique avant l’expédition de toutes les unités. Les conditions exactes varient selon les clients et les produits.

Counterpoint a attribué une partie de la performance de SK hynix au deuxième trimestre à des accords conclus avant l’accélération des prix de la mémoire. Son analyse du classement du marché indique que des prix fixes négociés plus tôt ont laissé moins de marge pour capter les dernières hausses du marché.

Le problème est devenu plus visible pendant la transition du HBM3E au HBM4. Les prix moyens des produits HBM3E existants ont diminué par rapport à l’année précédente, tandis que les lancements de HBM4 sont arrivés plus tard que prévu. Les prix de la DRAM conventionnelle ont augmenté pendant la même période.

Cette situation a produit un renversement inhabituel. La catégorie premium est restée stratégiquement centrale, mais la DRAM ordinaire a offert un potentiel de hausse des prix plus immédiat. SK hynix avait déjà engagé une plus grande part de sa production dans le segment confronté à une pression temporaire sur les prix.

L’entreprise conteste toute suggestion selon laquelle ses contrats seraient rigides. SK hynix affirme que les structures d’accord diffèrent selon les clients et les produits. Elle indique également que ces contrats peuvent protéger les résultats en cas de baisse tout en préservant l’accès à une demande et à des prix favorables.

Cette explication est crédible, mais l’économie précise des contrats n’est pas publique. Les investisseurs ne peuvent pas comparer indépendamment les plafonds, les calendriers d’ajustement ou les marges propres à chaque client. Les données de parts de marché offrent une vue indirecte plutôt qu’un audit complet des contrats.

Le HBM mobilise aussi les ressources de production différemment de la DRAM conventionnelle. Il nécessite plusieurs puces mémoire, des étapes de fabrication supplémentaires, un encapsulage avancé et une validation rigoureuse. Un empilement fini représente donc davantage qu’une simple substitution entre produits équivalents.

L’allocation des capacités devient une décision de portefeuille. Chaque wafer, ligne d’encapsulation et équipe d’ingénierie affectés au HBM implique un coût d’opportunité. Au début de la demande IA, ce coût semblait faible au regard des marges et de la valeur stratégique du HBM.

Le calcul a changé lorsque l’offre de DRAM conventionnelle s’est resserrée. Les clients des PC, des smartphones et des serveurs ont fait face à une disponibilité limitée après que les fabricants ont consacré davantage de ressources à la mémoire avancée. La hausse des prix a récompensé les fournisseurs ayant conservé une plus grande flexibilité entre leurs lignes de produits.

Samsung a capté les deux volets de cette évolution. L’entreprise a bénéficié de la DRAM conventionnelle tout en augmentant ses expéditions de HBM. Micron a également profité de son mix de produits axé sur les serveurs et de sa présence croissante dans la mémoire IA.

SK hynix a conservé la position la plus forte dans le HBM. Pourtant, le trimestre a montré que la spécialisation crée une exposition autant qu’un pouvoir de fixation des prix. Un leader peut dominer le produit le plus commenté du marché tout en perdant des parts dans la catégorie plus vaste.

Samsung et Micron exercent une pression sur SK hynix des deux côtés

Samsung combine désormais l’échelle avec une position HBM plus forte, tandis que Micron défie SK hynix grâce à une croissance rapide de la mémoire serveur.

Samsung est l’adversaire principal immédiat, car il peut concurrencer SK hynix sur l’ensemble du portefeuille mémoire. Il domine la DRAM conventionnelle, augmente ses expéditions de HBM et peut orienter d’importants investissements vers des procédés de fabrication plus récents.

Counterpoint estime la part de Samsung dans la DRAM au deuxième trimestre à 39 %, soit son niveau de 2024. Cela représente un net renversement par rapport à l’année précédente, lorsque SK hynix avait brièvement pris la tête du marché.

L’avantage de Samsung ne repose pas uniquement sur une production plus élevée. Son mix de produits plus large lui a permis de profiter de la hausse des prix de la DRAM conventionnelle tout en ajoutant des livraisons de HBM4. Cet équilibre a réduit le coût d’opportunité lié à un pari sur un seul segment.

La concurrence dans le HBM s’est également resserrée. Les données antérieures du premier trimestre attribuaient à SK hynix 58 % des revenus HBM, tandis que Samsung et Micron détenaient chacun 21 %. Un an auparavant, SK hynix détenait 69 %, ce qui indique que son avance restait importante, mais se réduisait.

Samsung a adopté une approche technologique plus agressive pour le HBM4. L’entreprise a appliqué la DRAM 1c à cette génération et a mis en avant des vitesses de fonctionnement d’environ 11,7 gigabits par seconde. SK hynix a choisi la DRAM 1b éprouvée pour le HBM4 afin de privilégier une production de masse stable.

La stratégie HBM de SK hynix considère la fabricabilité comme un atout concurrentiel. Un produit aux spécifications annoncées légèrement inférieures peut néanmoins l’emporter s’il est qualifié plus tôt, offre des rendements constants et est livré en volumes fiables.

L’approche de Samsung accorde davantage de poids à l’avancement précoce des procédés. Si ses rendements 1c et ses qualifications clients se maintiennent, Samsung pourra proposer des spécifications supérieures tout en augmentant sa production. Cela exercerait simultanément une pression sur SK hynix en matière de performances et de volumes.

Micron crée un risque différent. L’entreprise n’est pas le leader actuel du HBM, mais ses revenus globaux dans la DRAM ont presque égalé ceux de SK hynix au deuxième trimestre. Counterpoint estime la part de Micron à 25 %, à seulement un point de son concurrent coréen.

Selon Counterpoint, les revenus DRAM de Micron ont été multipliés par cinq par rapport à l’année précédente. Sa stratégie a mis l’accent sur la DRAM serveur à une période où les capacités restaient limitées et les prix augmentaient. Cette orientation a capté une demande liée à la fois aux serveurs conventionnels et aux infrastructures IA.

Il en résulte une compétition sur deux fronts. Samsung reconstruit son leadership par le haut grâce à son échelle et au HBM4. Micron se rapproche par le bas avec ses produits serveurs, la diversification de ses clients et une allocation disciplinée.

SK hynix ne peut pas répondre à ces pressions en abandonnant le HBM. Cela affaiblirait l’activité qui le différencie et relie l’entreprise aux principales plateformes d’accélérateurs. Il doit au contraire accroître sa flexibilité sans compromettre ses engagements envers ses clients.

Le problème concurrentiel dépasse un seul trimestre. Les contrats IA à long terme peuvent sécuriser des volumes pendant des années, tandis que les transitions de procédés exigent d’importants investissements et travaux de qualification. Les décisions prises aujourd’hui façonnent ce que chaque fournisseur pourra livrer plusieurs générations de produits plus tard.

C’est aussi pourquoi cette compétition importe à la Corée du Sud. Samsung et SK hynix constituent les piliers de l’industrie mémorielle du pays, de ses exportations, de la demande en équipements et de sa main-d’œuvre technique. Leur force combinée n’élimine pas la concurrence qui les oppose.

Les gains de parts de Samsung peuvent soutenir la position globale de la Corée. Toutefois, la perte de flexibilité de SK hynix crée un risque propre à l’entreprise et une question stratégique plus large. La Corée doit conserver son leadership dans la mémoire IA haut de gamme sans laisser les segments conventionnels rentables aux fournisseurs étrangers.

Le HBM4E de SK hynix dépend d’une montée en cadence plus rapide de la DRAM 1c

La réponse de l’entreprise n’est pas un recul du HBM, mais une transition de procédé servant simultanément la mémoire premium et conventionnelle.

SK hynix augmente rapidement la proportion de DRAM fabriquée avec son procédé 1c. Des estimations sectorielles citées par Chosunbiz situaient cette part autour de 10 % au premier trimestre et de 13 % au deuxième.

Cette part devait atteindre environ 24 % au troisième trimestre et 34 % au quatrième. Si ce calendrier se confirme, le 1c dépasserait l’ancien procédé 1b au cours du premier trimestre 2027.

Un nœud de fabrication plus petit peut produire davantage de bits par wafer lorsque les rendements restent stables. Cela améliore l’efficacité des coûts et accroît la production effective sans exiger que les démarrages de wafers augmentent au même rythme.

SK hynix prévoit que la transition soutiendra les produits généralistes ainsi que les futures mémoires destinées à l’IA. Sa feuille de route DRAM 1c relie directement ce procédé à la HBM4E, la génération attendue après la HBM4.

Cela crée un pont entre les deux volets du portefeuille. Des lignes 1c plus productives peuvent fournir des produits DDR5 et pour serveurs tout en préparant les puces de base de la HBM4E de SK hynix. L’entreprise gagne en flexibilité si les deux familles de produits partagent une base de procédé mature.

Cette stratégie diffère de sa décision pour la HBM4. SK hynix a utilisé la DRAM 1b pour la HBM4 et l’a associée à sa méthode de packaging MR-MUF éprouvée. Le MR-MUF remplit les espaces entre les puces empilées, aide à gérer la chaleur et facilite la production de masse.

Ce choix prudent pour la HBM4 a réduit le nombre de changements simultanés dans la fabrication. Introduire à la fois un nœud DRAM plus récent et un packaging avancé peut accroître le risque d’exécution. SK hynix a repoussé cette combinaison à la HBM4E.

Pour la HBM4E, toutefois, la stabilité seule ne suffira pas. Les futurs accélérateurs exigeront davantage de bande passante et une meilleure efficacité énergétique. Samsung et Micron affineront également leurs procédés avant que ces produits ne soient déployés à grande échelle.

La transition actuelle poursuit donc deux objectifs. SK hynix doit regagner en productivité sur le marché DRAM élargi. Elle doit aussi garantir que la HBM4E de SK hynix reste compétitive face à des produits fabriqués sur des procédés tout aussi avancés.

Le rendement de fabrication constitue l’incertitude centrale. Le rendement mesure la proportion de puces exploitables produites à partir de chaque wafer. Un nouveau procédé améliore la densité théorique, mais de faibles rendements peuvent annuler ses avantages en matière de coûts et de capacité.

La qualification par les clients constitue un autre obstacle. Les fournisseurs d’accélérateurs IA testent les mémoires pour leurs performances, leur comportement thermique, leur fiabilité et leur intégration à leurs systèmes. Un fabricant ne peut pas transformer un échantillon technique en revenus substantiels avant l’approbation des clients.

Le mix de production rapporté reste une estimation sectorielle plutôt qu’une série trimestrielle publiée par l’entreprise. La direction de la montée en cadence est donc plus utile que n’importe quel pourcentage isolé. Les rendements réels et les calendriers des clients détermineront si la transition produit les bénéfices attendus.

SK hynix a également approuvé une importante expansion nationale. En août, son conseil d’administration a autorisé 35 200 milliards de wons pour une deuxième fab à Yongin et 19 100 milliards de wons pour l’installation M17 à Cheongju.

Le plan d’investissement pour les fabs totalise 54 300 milliards de wons. Yongin doit devenir un pôle de production de DRAM de nouvelle génération, y compris de HBM, tandis que Cheongju accroîtra les capacités NAND.

Les nouvelles fabs ne résoudront pas les problèmes immédiats d’allocation. Les usines de semi-conducteurs exigent des années de construction, d’équipement, de qualification et de montée en cadence. Les résultats à court terme dépendront davantage de la migration des procédés et de l’optimisation au sein des installations existantes.

Ce calendrier fait de la montée en cadence du 1c la réponse opérationnelle la plus importante. Elle offre une voie vers davantage de bits avant que les plus grandes nouvelles installations n’atteignent une échelle utile.

La stratégie coréenne face à un angle mort dans la DRAM grand public

La priorité donnée aux mémoires IA haut de gamme accroît la valeur nationale, mais elle ouvre aussi des brèches dans les produits qui financent l’échelle et la portée client.

La Corée du Sud reste le centre de la production de mémoires avancées grâce à Samsung et SK hynix. Leurs capacités HBM placent les fournisseurs coréens au sein des chaînes d’approvisionnement les plus précieuses des accélérateurs IA.

Toutefois, le leadership dans les produits haut de gamme ne rend pas la DRAM conventionnelle stratégiquement négligeable. La mémoire standard reste essentielle pour les CPU, les smartphones, les ordinateurs personnels, les équipements réseau et les serveurs généralistes.

Les systèmes d’IA eux-mêmes nécessitent les deux catégories. Les GPU utilisent la HBM pour un accès aux données extrêmement rapide, tandis que les processeurs hôtes s’appuient sur de grandes quantités de DRAM serveur conventionnelle. La croissance des infrastructures IA peut donc tendre les deux marchés.

Le danger apparaît lorsque les fournisseurs établis détournent trop leur attention des segments matures. Les clients ont toujours besoin de ces produits, et les hausses de prix créent un point d’entrée pour des concurrents disposés à les servir.

ChangXin Memory Technologies, ou CXMT, en Chine, illustre cette opportunité. Counterpoint a estimé que le chiffre d’affaires de CXMT au deuxième trimestre avait augmenté de 716 % par rapport à l’année précédente. Son expansion s’est concentrée sur la DRAM conventionnelle et la demande intérieure chinoise.

Une analyse distincte du marché de CXMT a indiqué que l’entreprise avait levé 29,5 milliards de yuans via une cotation à Shanghai. Elle prévoit de consacrer une partie de ces fonds aux procédés DRAM et à la recherche.

CXMT reste confrontée à des contraintes significatives. L’accès aux équipements avancés, le rendement de production, les performances thermiques et la qualification par les clients étrangers peuvent ralentir sa progression. Produire en masse de la DRAM mature diffère également de la qualification d’une HBM compétitive.

Ces limites ne doivent pas masquer la tendance stratégique. Une pénurie d’approvisionnement permet à un nouveau producteur de développer ses volumes, d’améliorer son expérience de fabrication et d’approfondir ses relations clients. Les profits tirés des produits conventionnels peuvent ensuite financer des développements plus avancés.

La même logique a façonné les cycles précédents de la mémoire. Les fournisseurs ont accumulé des connaissances sur les procédés grâce à la production à grand volume avant d’évoluer vers des produits plus exigeants. La participation au marché compte, même lorsque les produits initiaux ne dominent pas en performances.

La Corée est donc confrontée à un problème de portefeuille plutôt qu’à un simple choix entre puces avancées et puces grand public. La HBM offre une valeur stratégique plus élevée, tandis que la DRAM conventionnelle préserve l’échelle et bloque les ouvertures pour les concurrents.

La récente baisse de part de SK hynix rend ce compromis visible. L’entreprise n’a pas perdu sa position technologique du jour au lendemain. Elle a laissé ses concurrents capter une plus grande part de la croissance des revenus dans les produits hors de son segment le plus solide.

Samsung apparaît actuellement mieux équilibré. L’entreprise a développé la HBM tout en conservant une exposition suffisante pour bénéficier des prix de la DRAM conventionnelle. Cela ne prouve pas que la stratégie de Samsung gagnera chaque génération, mais cela a renforcé l’entreprise durant cette phase de marché.

La politique publique a également une portée limitée. Le soutien public peut accélérer les infrastructures, le développement des compétences, la recherche et les chaînes d’approvisionnement nationales. Il ne peut pas déterminer quel mix de produits les clients récompenseront à chaque trimestre.

L’exécution opérationnelle des entreprises reste décisive. Les fournisseurs coréens doivent qualifier leurs produits à temps, maintenir les rendements, sécuriser les équipements et négocier des contrats qui préservent leur flexibilité. Ces tâches s’accomplissent au niveau de l’entreprise, même lorsque leur issue a des implications nationales.

Le risque plus large est la complaisance créée par une domination agrégée. Samsung et SK hynix contrôlent encore ensemble une large part de la DRAM mondiale. Cette position combinée peut masquer des trajectoires d’entreprise divergentes et une concurrence émergente.

Une stratégie coréenne résiliente exige que les deux entreprises restent compétitives à travers les cycles. Une entreprise ne peut pas compenser durablement les opportunités perdues par l’autre, en particulier alors que Micron et CXMT progressent depuis des directions différentes.

Trois signaux montreront si SK hynix peut se rééquilibrer

Le prochain test est mesurable : les rendements du 1c, l’économie client de la HBM4 et l’écart entre SK hynix et Micron.

Le premier signal sera la montée en cadence de la production 1c jusqu’au quatrième trimestre. Les estimations du secteur prévoient que le 1c atteindra environ 34 % de la production DRAM de SK hynix d’ici la fin de l’année.

Atteindre ce niveau avec des rendements stables renforcerait la position de coût de l’entreprise et augmenterait le nombre de bits disponibles. Ne pas y parvenir affaiblirait le pont prévu entre la DRAM conventionnelle et la HBM4E de SK hynix.

Les investisseurs devraient surveiller les commentaires de l’entreprise sur la croissance en bits, la migration des procédés et la qualification, plutôt que de se concentrer uniquement sur la part de production rapportée. Ces indicateurs opérationnels peuvent révéler si le nouveau nœud produit un volume exploitable.

Le deuxième signal concerne les prix et le mix de clients de la HBM4. Les expéditions ont commencé à augmenter au cours du troisième trimestre, lorsque les nouveaux systèmes Nvidia et AMD sont arrivés sur le marché. Cette transition devrait réduire l’effet de la baisse des prix de la HBM3E.

Le volume seul ne tranchera pas la question. L’enjeu crucial est de savoir si SK hynix peut capter une valeur HBM4 plus élevée tout en maintenant des contrats réactifs aux évolutions du marché. La diversification des clients comptera autant que la demande de Nvidia.

Les progrès de Samsung offrent un point de comparaison. Si Samsung associe des volumes HBM4 croissants à de solides revenus issus de la DRAM conventionnelle, son approche équilibrée gagnera en crédibilité. Si son procédé avancé engendre des problèmes de rendement, la décision de SK hynix de privilégier la stabilité paraîtra plus solide.

Le troisième signal est l’écart de part de revenus avec Micron. Counterpoint n’a placé qu’un point de pourcentage entre les entreprises au deuxième trimestre. Un dépassement de SK hynix par Micron constituerait un avertissement visible concernant la flexibilité du portefeuille.

Un tel changement ne mettrait pas fin au leadership de SK hynix dans la HBM. Il montrerait qu’un concurrent disposant d’une position HBM plus réduite peut générer des revenus DRAM comparables grâce aux produits pour serveurs, aux prix et à l’allocation des capacités.

CXMT doit figurer sur la liste de surveillance à plus long terme, mais sa signification immédiate est différente. La croissance de sa part dans la DRAM conventionnelle montrerait que les fournisseurs établis ont laissé une ouverture durable. Des progrès vers une HBM qualifiée relèveraient encore davantage les enjeux stratégiques.

La stratégie HBM de SK hynix reste l’une des réussites les plus manifestes du boom du matériel IA. Elle a placé l’entreprise au centre de l’approvisionnement en accélérateurs et transformé sa position concurrentielle.

Ce succès doit désormais évoluer. SK hynix doit préserver un approvisionnement HBM fiable, améliorer la flexibilité contractuelle, accélérer les rendements du 1c et protéger sa position plus large dans la DRAM. Réussir ces quatre objectifs est plus difficile que de simplement produire davantage de mémoire haut de gamme.

Pour les développeurs et les acheteurs d’IA en entreprise, le résultat influencera la disponibilité des accélérateurs, les configurations de serveurs et les coûts d’infrastructure. L’approvisionnement en mémoire peut limiter les déploiements même lorsque les processeurs sont disponibles.

Les prochains mois devraient répondre à une question directe. SK hynix peut-elle transformer sa spécialisation HBM en un avantage équilibré dans la mémoire, ou Samsung et Micron continueront-ils à capter la croissance qui l’entoure ?