Chip de fotônica de silício da Universidade de Pequim atinge 3,2 Tbps, mas o recorde de laboratório não é um produto comercial

Pesquisadores da Universidade de Pequim levaram um chip de fotônica de silício a 3,2 terabits por segundo, desafiando pressupostos sobre até onde moduladores de silício puro podem evoluir. O experimento combinou oito canais ópticos, cada um transportando 400 gigabits por segundo, com processamento de sinais por redes neurais. Sua importância está nessa combinação, e não apenas na capacidade destacada na manchete.

O resultado de fotônica de silício da Universidade de Pequim aborda um problema crescente dentro de clusters de computação para IA. Os aceleradores podem processar cargas de trabalho enormes, mas ainda precisam de conexões eficientes para movimentar parâmetros de modelos, ativações e outros dados. As conexões de cobre se tornam mais difíceis de ampliar à medida que a largura de banda aumenta, enquanto os componentes ópticos enfrentam seus próprios limites de custo, consumo de energia e fabricação.

Os pesquisadores usaram estruturas de luz lenta para aumentar a interação entre a luz e o silício. Em seguida, aplicaram redes neurais artificiais para corrigir distorções nos sinais recebidos. Essa abordagem posiciona o trabalho diante de materiais alternativos para moduladores, incluindo niobato de lítio em filme fino, e de mecanismos fotônicos comerciais de 3,2 Tbps que já avançam para avaliação por clientes.

A distinção importa. A equipe relatou um experimento de transmissão de alta capacidade, não um transceptor totalmente encapsulado e pronto para implantação. O resultado estabelece um caminho técnico que fornecedores podem investigar, mas rendimento de fabricação, consumo total da conexão, encapsulamento e processamento em tempo real continuam sendo questões em aberto.

O resultado de fotônica de silício da Universidade de Pequim alcança 3,2 Tbps

O resultado central é um chip modulador de silício puro com oito canais, transportando um total de 3,2 Tbps em condições de laboratório.

O trabalho foi publicado na Nature Communications em 16 de julho de 2025. Seus autores vieram da Universidade de Pequim, da University of California, Santa Barbara, da Beijing Information Science and Technology University, do Peng Cheng Laboratory e de outras organizações de pesquisa.

O artigo descreve um chip de oito canais multiplexados por divisão de comprimento de onda. A multiplexação por divisão de comprimento de onda, ou WDM, envia fluxos de dados separados em diferentes cores de luz. Cada canal alcançou 400 Gbps usando modulação de amplitude de pulso em quatro níveis, geralmente chamada de PAM-4.

O PAM-4 representa dois bits em cada símbolo transmitido usando quatro níveis de sinal. Ele já é um formato importante em redes de data centers de alta velocidade. Seu uso torna o experimento mais relevante para a indústria do que um resultado baseado em um formato de modulação incomumente especializado.

Juntos, os oito canais produziram uma capacidade total de dados de 3,2 Tbps. Os pesquisadores relataram taxas de erro de bits abaixo do limiar de correção antecipada de erros por decisão rígida. Esse limiar indica se a correção de erros convencional consegue recuperar os dados transmitidos com confiabilidade suficiente para uma conexão de comunicação.

A área ativa de modulação mediu 4 milímetros por 0,5 milímetro. Essa área produziu uma densidade de taxa de dados no chip relatada de 1,6 terabits por segundo por milímetro quadrado. A matriz foi fabricada em uma wafer de silício sobre isolante de 200 milímetros usando um processo padrão de fotolitografia de 90 nanômetros.

Esse detalhe de fabricação sustenta uma das alegações mais importantes do artigo. Os moduladores de luz lenta usam silício puro e dimensões compatíveis com uma fundição comercial de fotônica de silício. Eles não exigem um novo material óptico ligado à seção de modulação.

Os braços individuais de modulação mediam apenas 249 micrômetros. O chip também apresentou largura de banda eletro-óptica de 90 gigahertz, eficiência de modulação de 0,82 volt-centímetros e uma banda de passagem óptica de 7 nanômetros em torno de 1.550 nanômetros.

Essas métricas descrevem partes relacionadas do projeto. A largura de banda indica quão rapidamente o modulador pode responder. A eficiência de modulação reflete quanta tensão e comprimento de dispositivo são necessários para alterar o sinal óptico. A banda de passagem mostra quanto do espectro óptico a estrutura pode usar de modo eficaz.

Os moduladores convencionais de silício frequentemente forçam os projetistas a trocar eficiência por largura de banda. Um dispositivo mais longo pode aumentar a interação entre luz e matéria, mas também ocupa mais área e pode introduzir limitações elétricas. Um dispositivo mais curto melhora a densidade, mas normalmente oferece menos interação para determinada tensão de acionamento.

A estrutura de luz lenta da equipe muda esse equilíbrio. Ela usa um guia de onda periódico contendo elementos ressonantes em cascata, fazendo com que a luz passe mais tempo efetivo de interação dentro de uma região compacta. Os pesquisadores projetaram a estrutura para ampliar a modulação de fase sem estreitar a banda óptica utilizável a um nível impraticável.

As medições de apoio e os dados dos gráficos do artigo estão disponíveis por meio de seu conjunto de dados público de pesquisa. Esse acesso torna o registro experimental mais verificável, embora reproduzir a conexão completa ainda exigisse equipamentos especializados de fabricação e teste.

Portanto, trata-se de mais do que uma leitura isolada de velocidade máxima. O experimento conecta um projeto compacto de modulador, operação em oito canais, um formato de sinalização padrão e medições de taxa de erro. Essa combinação oferece aos engenheiros uma base mais clara para avaliar a arquitetura.

No entanto, o resultado não deve ser confundido com um módulo óptico completo de 3,2 Tbps. Ele não estabelece rendimento de produção, confiabilidade dos conectores, vida útil em campo ou a energia consumida por todos os componentes de suporte. Essas questões de sistema determinam se o projeto de laboratório se torna infraestrutura útil.

O tráfego de dados de IA pressiona as conexões entre chips

Aceleradores mais rápidos aumentam o valor das redes ópticas apenas quando a conexão ao redor consegue fornecer largura de banda sem consumir um orçamento excessivo de energia e térmico.

Os clusters de IA distribuem a computação entre muitos aceleradores. Treinar um modelo grande exige que esses dispositivos troquem dados com frequência, às vezes por conexões scale-up dentro de um domínio computacional e, em outras ocasiões, por uma rede scale-out mais ampla.

Uma interconexão lenta ou congestionada deixa processadores caros esperando. Uma interconexão com alto consumo de energia também compete com esses processadores por eletricidade e refrigeração. Isso torna a eficiência da rede uma restrição de nível de sistema, e não uma especificação secundária de componente.

As conexões elétricas continuam eficazes em curtas distâncias, mas taxas de sinalização mais altas tornam seu projeto mais difícil. As perdas aumentam com a frequência, a integridade do sinal se torna mais sensível ao encapsulamento e os retimers podem acrescentar consumo de energia. Grandes conjuntos de trilhas de cobre também ocupam espaço valioso ao redor de pacotes densos de aceleradores.

As conexões ópticas movimentam dados por fibra e evitam algumas perdas elétricas dependentes da distância. A fotônica de silício é atraente porque os projetistas podem criar componentes ópticos em wafers usando processos relacionados à fabricação de semicondutores. Ela promete alta integração e um caminho para volumes maiores de produção.

O trabalho de fotônica de silício da Universidade de Pequim se concentra no modulador, que converte um fluxo elétrico de dados em mudanças na luz. Elevar cada via a 400 Gbps significa que uma conexão pode atingir determinada capacidade agregada com menos vias, fibras, drivers e interfaces associadas.

Essa redução só tem valor se a via mais rápida continuar administrável. Taxas seriais mais altas podem ampliar distorções não lineares, ruído, erros de temporização e limitações de largura de banda. Um modulador nominalmente rápido não garante que um receptor consiga separar os níveis PAM-4 com precisão.

Os pesquisadores trataram essas limitações com equalização por redes neurais. Um equalizador estima como o canal de comunicação distorceu um sinal e então compensa essa distorção. O experimento usou uma unidade recorrente com portas bidirecional, ou bi-GRU, que analisa relações ao longo de uma sequência de amostras recebidas.

A rede neural ajudou a recuperar sinais PAM-4 de 400 Gbps de cada canal. É por isso que descrever o trabalho simplesmente como um chip para data centers de IA deixa de lado um detalhe importante. A IA não estava sendo executada no chip fotônico como aplicação. O aprendizado de máquina fazia parte do método de processamento de sinais usado para atingir a taxa de transmissão relatada.

O experimento processou sinais amostrados offline após a recepção. Um osciloscópio de alta velocidade capturou as formas de onda antes de a rede neural analisá-las. Essa configuração é adequada para testar uma ideia, mas não estabelece o custo, a latência ou o consumo de energia de um equalizador de produção.

Um transceptor implantado precisaria de processamento em tempo real em eletrônica especializada. Seus projetistas precisariam determinar se o equalizador neural cabe em um orçamento de energia aceitável e se uma aproximação mais simples consegue preservar a maior parte de seu desempenho.

Isso cria pressão sobre vários grupos ao mesmo tempo. Os fabricantes de componentes ópticos precisam de moduladores mais rápidos. Os fornecedores de processadores digitais de sinais precisam de equalização eficiente. As empresas de encapsulamento devem posicionar a óptica mais perto de switches e aceleradores sem criar problemas de confiabilidade ou térmicos.

Os operadores de rede enfrentam uma decisão diferente. Eles precisam escolher quando adotar gerações ópticas mais rápidas e se mantêm módulos conectáveis na borda de um sistema ou aproximam a óptica do silício de computação.

A pesquisa não resolve essas escolhas arquiteturais. Ela reforça o argumento de que o silício puro merece espaço nelas, mesmo a 400 Gbps por comprimento de onda óptico.

Luz lenta e equalização neural ampliam os limites do silício puro

O mecanismo combina uma interação óptica mais forte dentro do silício com correção assistida por software após a transmissão.

O silício é um excelente material para fabricar circuitos ópticos densos, mas não é ideal para todas as funções ópticas. Sua resposta eletro-óptica torna possível a modulação de alta velocidade, mas os projetistas precisam administrar cuidadosamente eficiência, largura de banda, comprimento do dispositivo e distorção.

Outras plataformas tentam melhorar essas características com materiais diferentes. O niobato de lítio em filme fino oferece forte comportamento eletro-óptico e baixa perda óptica. O fosfeto de índio pode integrar fontes de luz e componentes ativos rápidos. Projetos híbridos combinam esses materiais com guias de onda de silício.

A equipe da Universidade de Pequim perguntou, em vez disso, até onde uma plataforma padrão de silício puro poderia chegar. Sua resposta depende de luz lenta projetada, e não de armazenar fisicamente um bit de dados por um período prolongado.

O guia de onda periódico altera a dispersão da luz, aumentando a interação entre o campo óptico e a região controlada eletricamente. Isso permite que um deslocador de fase compacto produza um efeito de modulação útil. O projeto usa um interferômetro Mach-Zehnder, que transforma diferenças de fase controladas em mudanças na intensidade de saída.

O modulador compacto atende à densidade e à eficiência, mas dispositivos de luz lenta podem introduzir sensibilidade e distorção. O comportamento ressonante também pode tornar alguns componentes fotônicos dependentes de comprimentos de onda e temperaturas rigorosamente controlados.

Os pesquisadores afirmam que sua estrutura oferece uma banda de passagem óptica ampla o suficiente para evitar ajustes individuais de comprimento de onda ressonante. Eles também relatam que a conexão não exigiu uma plataforma extra de resfriador termoelétrico. Essas propriedades simplificariam um sistema futuro se persistirem em dispositivos fabricados e em condições operacionais.

O equalizador neural lida com outra parte do problema. PAM-4 posiciona quatro níveis de amplitude mais próximos entre si do que um sinal binário posiciona dois níveis. A distorção pode borrar suas fronteiras, especialmente à medida que a taxa de símbolos se aproxima dos limites de um modulador e receptor.

Uma rede neural recorrente pode modelar efeitos não lineares e dependentes do tempo que um equalizador linear básico poderia deixar para trás. No teste relatado, a bi-GRU processou informações em ambas as direções ao longo das sequências capturadas. Isso pode melhorar a reconstrução porque a estimativa de uma amostra utiliza o contexto ao redor.

Os pesquisadores também investigaram abordagens de menor complexidade. Seu objetivo mais amplo não era simplesmente aplicar o maior modelo disponível. Uma implementação comercial precisa de um equilíbrio prático entre taxa de erro, computação, latência e energia elétrica.

O mecanismo produz um ciclo de retroalimentação incomum. Cargas de trabalho de IA criam demanda por interconexões mais rápidas em data centers. O processamento por rede neural então ajuda o link óptico a transportar mais dados. Links mais rápidos podem, por sua vez, dar suporte a sistemas de IA distribuídos maiores.

Esse ciclo é conceitualmente convincente, mas a contabilização deve incluir todos os componentes. Transferir a complexidade do dispositivo óptico para o processamento eletrônico não a faz desaparecer. Uma comparação útil deve medir o caminho completo de transmissor, receptor, equalizador, laser, driver e resfriamento.

A configuração de teste incluiu um gerador arbitrário de formas de onda de alta velocidade, amplificação elétrica comercial, amplificação óptica e um osciloscópio de 256 gigamostras por segundo. Esses instrumentos ajudam a isolar o desempenho do dispositivo, mas não substituem eletrônica de transceptores pronta para implantação.

O artigo deve, portanto, ser lido como uma demonstração de componente e link. Ele mostra que a conhecida troca entre eficiência e largura de banda é menos rígida do que os projetistas poderiam supor. Não mostra que a equalização neural é gratuita nem que moduladores de luz lenta já estão prontos para aquisição em escala hyperscale.

O resultado ainda importa porque amplia o espaço de projeto. Se os engenheiros conseguirem preservar o comportamento óptico enquanto simplificam a eletrônica, o silício puro poderá competir em taxas por canal anteriormente associadas a combinações de materiais mais complexas.

Chips comerciais de 3,2 Tbps estabelecem um patamar prático mais elevado

O chip de pesquisa compete com outras rotas ópticas, mas seu verdadeiro adversário é a distância entre a capacidade de laboratório e um link fabricável.

Uma capacidade anunciada de 3,2 Tbps já não é, por si só, única. Diversos fornecedores e grupos de pesquisa miram essa taxa agregada usando diferentes contagens de canais, comprimentos de onda, materiais de moduladores e estratégias de encapsulamento.

A OpenLight anunciou disponibilidade de amostras para um circuito integrado fotônico 3.2T DR8 em março de 2026. DR8 descreve oito canais ópticos paralelos. Seu dispositivo utiliza lasers integrados de fosfeto de índio e moduladores de eletroabsorção de 448 Gbps em uma plataforma de fotônica de silício.

A OpenLight afirma que seu circuito fotônico 3.2T dissipa menos de 2 watts em operação plena e a 80 graus Celsius. A empresa converte esse valor em aproximadamente 0,63 picojoule por bit para o circuito.

Essa é uma alegação da empresa sobre seu circuito integrado fotônico, não necessariamente sobre o consumo de energia de um transceptor completo. Ainda assim, ela ilustra o parâmetro comercial que o projeto acadêmico precisará enfrentar. Clientes avaliam energia, temperatura, encapsulamento, integração de lasers e qualificação junto com a taxa de transmissão.

A NewPhotonics também descreveu um transmissor DR8 de 3,2 Tbps usando oito canais de 448 Gbps. Seu projeto combina lasers, moduladores e um processador de sinal óptico. A empresa afirma que a equalização no domínio óptico pode reduzir algumas demandas de condicionamento de sinal elétrico.

Esses concorrentes mostram por que a rota de silício puro é interessante. Dispositivos híbridos podem adicionar materiais com melhores propriedades ópticas ativas, mas seus fluxos de integração e fabricação podem se tornar mais complexos. O silício puro oferece um caminho de fundição potencialmente mais simples, desde que alcance o desempenho necessário.

A comparação não é simplesmente entre silício puro e fosfeto de índio ou niobato de lítio. Cada arquitetura distribui a complexidade de maneira diferente. Uma pode usar um material mais capaz, outra pode exigir equalização digital mais robusta, e outra pode aceitar um controle térmico mais rigoroso.

Um projeto de pesquisa separado de 2026, da Zhejiang University e da Zhejiang Lab, propôs uma arquitetura de entrada e saída fotônica de silício de 3,2 Tbps na banda O. Seu projeto de 32 canais utiliza canais PAM-4 juntamente com multiplexadores, moduladores de microring, demultiplexadores e fotodetectores.

Essa arquitetura atinge o mesmo valor agregado com mais canais em taxas individuais menores. O contraste demonstra por que a capacidade total, por si só, oferece uma visão incompleta. Taxa por canal, número de canais, banda de comprimento de onda, área, energia, encapsulamento e sobrecarga de controle moldam o resultado prático.

Usar menos canais mais rápidos pode reduzir a complexidade óptica e de encapsulamento. Também exige eletrônica de alta frequência melhor e integridade de sinal mais rigorosa. Usar mais canais reduz a velocidade por canal, mas adiciona componentes, roteamento e gerenciamento de comprimentos de onda.

O chip fotônico de silício da Peking University escolhe oito canais rápidos. Sua área compacta de modulação torna essa rota atraente para entrada e saída óptica de alta densidade. Ainda assim, o experimento publicado não integra todos os lasers, drivers, receptores e processamento em um único mecanismo encapsulado.

Fornecedores comerciais precisam resolver esses problemas de integração antes de disponibilizar produtos em amostras. Eles também devem caracterizar dispositivos diante de variações de fabricação e faixas de temperatura. A qualificação leva tempo porque operadores de data centers esperam que os componentes permaneçam estáveis sob operação contínua.

O resultado acadêmico, portanto, pressiona rotas de materiais alternativos no nível do dispositivo, mas os produtos comerciais o pressionam no nível do sistema. Um canal de silício puro de 400 Gbps é cientificamente notável. Um módulo qualificado que os clientes possam implantar é uma conquista diferente.

O que o número de 3,2 Tbps não estabelece

A maior incerteza é se o desempenho óptico medido resiste ao processamento em tempo real, ao encapsulamento, à variação térmica e à produção em volume.

As taxas de erro do experimento ficaram abaixo de um limiar de correção antecipada de erros, mas dependeram de processamento offline. Esse método permite que pesquisadores testem algoritmos sofisticados sem antes projetar silício personalizado para execução em tempo real.

Ele também adia uma importante questão de engenharia. Uma bi-GRU pode exigir operações matriciais repetidas e acesso a amostras ao longo de uma sequência. Implementá-la a centenas de gigabits por segundo poderia demandar processamento paralelo substancial.

O custo exato dependeria de quantização, tamanho do modelo, acesso à memória, arquitetura de circuito e latência permitida. O artigo inclui trabalho para reduzir a complexidade da equalização, mas não apresenta um processador de transceptor concluído com consumo de energia em tempo real medido.

O experimento óptico também utilizou equipamentos externos de laboratório. A amplificação óptica compensou perdas, enquanto um osciloscópio de alta gama capturou a forma de onda recebida. Um link implantável precisa de receptores compactos e circuitos eletrônicos que alcancem sensibilidade adequada sem instrumentação de laboratório.

O encapsulamento introduz perdas adicionais. As fibras precisam acoplar-se eficientemente ao chip, os sinais elétricos precisam chegar ao modulador sem degradação excessiva, e o calor da eletrônica ao redor deve permanecer controlado. Pequenas melhorias medidas em um die podem desaparecer se o encapsulamento adicionar perda ou consumo de energia demais.

A variação de fabricação apresenta outro teste. Estruturas fotônicas ressonantes e de luz lenta podem ser sensíveis a pequenas mudanças na geometria do guia de onda. Um processo de litografia de 90 nanômetros é comercialmente familiar, mas isso não garante automaticamente alto rendimento para toda estrutura óptica.

Os pesquisadores relatam uma banda de passagem óptica de 7 nanômetros e operação sem ajuste individual de comprimento de onda no chip demonstrado. Os testes de produção precisariam mostrar com que consistência essas propriedades se mantêm entre wafers, lotes de fabricação e temperaturas de operação.

A ausência de um resfriador termoelétrico adicional no experimento é encorajadora. Ela não estabelece que um produto encapsulado possa operar sem controle térmico ao lado de aceleradores ou chips de switch quentes.

Outra limitação diz respeito ao alcance. O resultado de destaque descreve a capacidade por meio do link experimental, não uma distância universal na qual todo data center possa transportar 3,2 Tbps. O desempenho do link depende do comprimento da fibra, potência óptica, sensibilidade do receptor, conectores e margem de erro exigida.

A palavra “recorde” também exige enquadramento cuidadoso. O artigo descreve aquilo que seus autores acreditam ter sido a maior taxa por canal relatada em uma plataforma fotônica padrão de silício puro usando PAM-4. Ele não reivindica a maior capacidade entre todas as tecnologias ópticas ou todas as arquiteturas multicanais.

Essa alegação mais restrita ainda é significativa. Moduladores de silício puro historicamente enfrentaram dúvidas em velocidades extremas devido a seus limites de eficiência e distorção. O estudo oferece a essas dúvidas um contraexemplo experimental mais forte.

No entanto, um chip de pesquisa bem-sucedido não elimina as vantagens de materiais concorrentes. O niobato de lítio pode oferecer excelente linearidade e largura de banda. O fosfeto de índio pode fornecer lasers eficientes e modulação por eletroabsorção. Dispositivos plasmônicos buscam dimensões muito pequenas e alta velocidade, com desafios distintos de perda e fabricação.

A conclusão apropriada é, portanto, condicional. A luz lenta e a equalização por IA estendem o desempenho demonstrado do silício. Seu valor no sistema continua dependente de quanta sobrecarga elétrica e de encapsulamento é necessária para obter esse desempenho fora de um laboratório.

Os leitores também devem distinguir o momento da publicação da renovação da cobertura jornalística. O artigo revisado por pares foi publicado em julho de 2025, mesmo que a descoberta apareça posteriormente em feeds de notícias de tecnologia. O evento é um resultado de pesquisa que voltou a circular, não um lançamento comercial de outubro de 2026 recém-anunciado.

Essa linha do tempo não enfraquece a ciência. Ela muda o que os leitores devem esperar em seguida. A questão relevante já não é se o experimento ocorreu. É se a engenharia subsequente aproximou o projeto da validação em tempo real e em encapsulamento.

Três sinais mostrarão se o chip importa

Equalização em tempo real, medições de link encapsulado e fabricação reproduzível determinarão se essa arquitetura avançará além de um marco de pesquisa.

O primeiro sinal é uma demonstração em tempo real de 400 Gbps por canal. Pesquisadores ou parceiros comerciais precisam substituir o processamento offline em osciloscópio por eletrônica implantável. A evidência mais forte incluiria latência medida, taxa de erro e energia total do equalizador sob tráfego contínuo.

Essa demonstração reforçaria o argumento de que a equalização neural é uma parte prática do link, e não uma técnica de reconstrução de laboratório. Uma queda significativa na velocidade por canal ou uma grande exigência de energia elétrica enfraqueceria o argumento.

O segundo sinal é um mecanismo óptico encapsulado contendo os componentes ao redor. Esse sistema deve incluir drivers, receptores, acoplamento de fibra e uma fonte de luz apropriada. As medições devem informar taxa agregada, perda de inserção, potência total, faixa de temperatura e alcance.

Um resultado encapsulado revelaria se a pequena área de modulação se traduz em densidade significativa no sistema. Também permitiria comparação direta com produtos comerciais 3.2T DR8, que já enfatizam lasers integrados, amostras de qualificação e simplicidade de encapsulamento.

O terceiro sinal é a repetibilidade de fabricação. Um caminho de produção crível exige medições em múltiplos chips e wafers, não apenas no die de melhor desempenho. O rendimento, a uniformidade dos canais, a consistência da banda passante e a deriva térmica devem permanecer dentro de limites úteis.

O resumo institucional do estudo descreve o trabalho como o primeiro sistema fotônico de silício puro com capacidade total de 3,2 Tbps usando luz lenta acelerada por IA. O próximo passo é demonstrar que esse “sistema” pode incluir o hardware prático excluído de um experimento em bancada óptica.

As respostas da concorrência fornecerão contexto adicional. A OpenLight esperava amostras beta de 3,2T para qualificação de módulos no quarto trimestre de 2026. A NewPhotonics também mencionou um programa de amostragem no quarto trimestre. O progresso delas indicará com que rapidez os projetos híbridos com lanes de 400 Gbps avançam para testes com clientes.

Se esses produtos progredirem enquanto o design de silício puro continuar dependente de processamento offline, a vantagem comercial permanecerá com as plataformas híbridas integradas. Se a arquitetura acadêmica obtiver eletrônica eficiente em tempo real e encapsulamento confiável, sua compatibilidade com fundições padrão se tornará muito mais relevante.

Para compradores de infraestrutura de IA, a lição não é escolher uma tecnologia com base em um único número de throughput. Eles devem comparar energia de enlace completo, comportamento térmico, alcance, facilidade de manutenção, qualificação e maturidade da cadeia de suprimentos.

Para engenheiros de chips e redes, o resultado de fotônica de silício da Peking University merece atenção porque enfraquece um limite presumido. Ele mostra que luz lenta projetada e equalização aprendida podem transportar 400 Gbps PAM-4 em cada lane de silício puro.

As próximas evidências precisam vir de sistemas mais próximos da implantação. Procure por um equalizador em tempo real, um motor de 3,2 Tbps encapsulado e dados de desempenho em múltiplos wafers. Esses três resultados mostrarão se esse design se tornará um enlace para data centers de IA ou continuará sendo um impressionante recorde de laboratório.