SK hynix 的 HBM 战略赢得 AI 存储市场，但其 DRAM 份额正在下滑
尽管一年内全球 DRAM 营收份额下降了 13 个百分点，SK hynix 仍巩固了其在 HBM 领域的领先地位。SK hynix 的 HBM 战略使其成为 AI 加速器的核心供应商，但也让这家芯片制造商较少受益于传统存储器价格的突然上涨。
这种张力的重要性远超季度排名的常规变动。SK hynix 报告了创纪录的业绩，而 Samsung Electronics 扩大了其在 DRAM 市场的领先优势，Micron 也几乎追平第二名。帮助 SK hynix 早早取得 AI 存储器优势的同一批承诺，也限制了其从更广泛价格上涨中获利的能力。
该公司目前正加速生产更新的 1c DRAM，这也是其第六代 10 纳米级制程。这一转型同时支持传统服务器存储器和未来的 HBM4E 产品，并考验着 SK hynix 能否在不让出过多整体存储器市场份额的前提下，守住其 AI 业务优势。
创纪录营收背后，是更小的 DRAM 市场地位
SK hynix 在第二季度实现快速增长，但 Samsung 和 Micron 的增长速度更快。
Counterpoint Research 估计，SK hynix 的 DRAM 份额从 2025 年第二季度的 39% 降至一年后的 26%。Samsung 达到 39%，Micron 则升至 25%。这使 SK hynix 在营收排名中仅领先 Micron 一个百分点。
这一降幅并不意味着销售崩盘。Counterpoint 表示，SK hynix 的季度 DRAM 营收同比增长 214%。该公司仍然丢失份额，是因为竞争对手在异常强劲的市场扩张中获得了更多收益。
TrendForce 的独立 DRAM 营收数据也呈现出相同的竞争格局。这家研究机构估计，行业营收较上一季度增长 59.5%，达到近 1547.3 亿美元。
TrendForce 将 Samsung 列为第二季度营收第一，占比 39.4%。SK hynix 以 24.9% 紧随其后，Micron 达到 23.3%。两组数据的差异反映了各自的方法论，但均显示出相同的趋势性结果。
Samsung 受益于强劲的传统 DRAM 定价、更高的位元出货量，以及其 HBM4 的早期量产爬坡。其预估营收较第一季度增长 63.4%。Micron 则因优先供应价格更高的服务器存储器，营收增长 65.5%。
SK hynix 的营收环比增长 37.9%，这一成绩在大多数时期都堪称出色。然而，其产品组合限制了它从传统 DRAM 价格飙升中获得的收益。因此，与两家增长更快的竞争对手相比，其增长显得相对受限。
高带宽存储器，即 HBM，通过垂直堆叠 DRAM 晶粒，以更低能耗向处理器提供更多数据。对于 AI 加速器而言，这至关重要，否则处理器可能会在等待模型数据时闲置。
据 TrendForce 称，在三大供应商中，HBM 在 SK hynix 的位元出货量中占比最高。这种专业化帮助该公司抓住了 AI 基础设施热潮初期的机遇；但当传统 DRAM 价格涨幅更为显著时，它又成为一种劣势。
因此，SK hynix DRAM 份额的下滑并不意味着客户放弃了其存储器产品。它表明，即使所有主要供应商都在增长，价格组合的变化也可能重塑营收排名。
SK hynix 的市场地位仍具有重要商业价值。但第二季度的结果挑战了这样一种观点：HBM 领域的领先地位会自动转化为整个 DRAM 品类的领先地位。
为什么 SK hynix 的 HBM 战略错失了传统存储器的价格红利
SK hynix 早期针对稀缺的 AI 存储器进行了优化，而市场最强劲的定价动力却转向了专业化程度较低的产品。
该公司早期扩张 HBM 是合理的。AI 加速器供应商需要可靠的供应量，而先进堆叠产品要求在存储器设计、封装和系统验证方面进行密切协作。长期协议为 SK hynix 提供了更清晰的需求预期，也保障了其生产投资。
这些安排还强化了其与 Nvidia 的关系。该合作帮助 SK hynix 成为最大的 HBM 供应商，而竞争对手当时仍在解决产品认证和制造问题。
不过，长期协议可能会以定价灵活性换取可预测的需求。此类协议通常会在所有产品发货前设定定价公式、价格上限、下限或定期谈判机制。具体条款因客户和产品而异。
Counterpoint 将 SK hynix 第二季度的部分表现归因于在存储器价格加速上涨前签署的协议。其 市场排名分析称，较早确定的固定价格使其较难捕捉最新一轮市场涨价。
这一问题在从 HBM3E 向 HBM4 过渡期间变得更加明显。现有 HBM3E 产品的平均价格同比下降，而 HBM4 的上市时间晚于预期。同期，传统 DRAM 价格则在上涨。
这造成了一种不寻常的逆转。高端品类在战略上依然居于核心地位，但普通 DRAM 带来了更直接的价格上行空间。SK hynix 已将较大比例的产能投入到面临暂时性价格压力的细分市场。
该公司反驳了其合同缺乏灵活性的说法。SK hynix 表示，协议结构因客户和产品而异，也称这些合同能够在保障下行表现的同时，保留获取有利需求和定价的机会。
这一解释具有可信度，但具体合同的经济条款并未公开。投资者无法独立比较价格上限、调整周期或客户特定利润率。市场份额数据只能提供间接视角，而非完整的合同审计。
HBM 对生产资源的消耗方式也不同于传统 DRAM。它需要多个存储器晶粒、额外制造步骤、先进封装以及严格验证。因此，一组完成的堆叠产品并不只是同类产品之间的简单替代。
产能分配成为一项组合决策。每一片投向 HBM 的晶圆、每一条封装线以及每支工程团队都伴随着机会成本。在 AI 需求早期，与 HBM 的利润率和战略价值相比，这种成本显得微不足道。
当传统 DRAM 供应趋紧时，这一计算发生了变化。由于制造商将更多资源投入先进存储器，PC、智能手机和服务器客户面临供应受限。价格上涨回报了那些在产品线之间保留更大灵活性的供应商。
Samsung 抓住了这一转变的两方面机遇。它既受益于传统 DRAM，又扩大了 HBM 出货量。Micron 同样凭借面向服务器的产品组合和不断增长的 AI 存储器业务获益。
SK hynix 仍保有最强的 HBM 市场地位。然而，这一季度表明，专业化既带来定价能力，也带来风险敞口。一家市场领导者可以主导最受关注的产品，却依然在更大的品类中失去份额。
Samsung 和 Micron 正从两端挤压 SK hynix
Samsung 如今将规模优势与更强的 HBM 地位相结合，而 Micron 则凭借服务器存储器的快速增长向 SK hynix 发起挑战。
Samsung 是当前最主要的对手，因为它能够在整个存储器产品组合中展开竞争。它在传统 DRAM 领域领先，正在扩大 HBM 出货量，并能够将巨额投资投向更新的制造制程。
Counterpoint 估计，Samsung 第二季度的 DRAM 份额为 39%，与其 2024 年的水平相当。这与前一年形成鲜明逆转，当时 SK hynix 曾短暂领跑市场。
Samsung 的优势并不只是更高的产出。其更广泛的产品组合使其能够在增加 HBM4 出货量的同时，获得传统 DRAM 价格上涨带来的收益。这种平衡降低了押注单一细分市场的机会成本。
HBM 竞争也在加剧。较早的第一季度数据显示，SK hynix 占据 58% 的 HBM 营收，而 Samsung 和 Micron 各占 21%。一年前，SK hynix 的份额为 69%，表明其领先优势仍然很大，但正在收窄。
Samsung 为 HBM4 采取了更激进的技术路线。它将 1c DRAM 应用于这一代产品，并宣传约 11.7 吉比特每秒的运行速度。SK hynix 则为 HBM4 选择了成熟的 1b DRAM，以优先确保稳定的大规模生产。
SK hynix 的 HBM 战略将可制造性视为一种竞争特性。即使标称规格略低，只要能更早完成认证、保持稳定良率并可靠地大批量交付，产品仍可能胜出。
Samsung 的方法则更重视早期制程推进。如果其 1c 良率和客户认证能够维持，Samsung 就能在扩大产出的同时展示更高规格。这将同时在性能和产量上对 SK hynix 施压。
Micron 带来了另一种风险。它并非当前的 HBM 领导者，但其整体 DRAM 营收在第二季度已接近 SK hynix。Counterpoint 估计 Micron 的份额为 25%，仅落后其韩国竞争对手一个百分点。
根据 Counterpoint 的数据，Micron 的 DRAM 营收同比增长五倍。其战略是在产能持续紧张、价格上涨的时期侧重服务器 DRAM。这一重点抓住了与传统服务器和 AI 基础设施相关的需求。
结果是一场双线竞争。Samsung 通过规模和 HBM4 从上方重建领先地位；Micron 则通过服务器产品、客户多元化和严谨的资源分配从下方逼近。
SK hynix 无法通过放弃 HBM 来回应这些压力。那将削弱其差异化优势，并切断其与领先加速器平台的联系。相反，它必须在不损害客户承诺的前提下提升灵活性。
竞争问题并不止于单个季度。长期 AI 合同能够锁定数年的供应量，而制程转换则需要大量资本投入和认证工作。今天作出的决定将塑造各家供应商在数代产品之后的交付能力。
这也是为何这场竞争对韩国如此重要。Samsung 和 SK hynix 支撑着该国的存储器产业、出口表现、设备需求和技术人才队伍。两者的综合实力并不能消除它们之间的竞争。
Samsung 份额增长可以支持韩国的整体市场地位。然而，SK hynix 灵活性的下降会带来公司层面的风险，也引出更广泛的战略问题。韩国需要在高端 AI 存储器领域保持领导地位，同时不能让利润丰厚的传统细分市场向海外供应商敞开。
SK hynix 的 HBM4E 取决于更快的 1c DRAM 量产爬坡
该公司的应对之策并非退出 HBM，而是通过制程转换同时服务高端与传统存储器市场。
SK hynix 正迅速提高采用其 1c 制程生产的 DRAM 比例。Chosunbiz 援引的行业估计显示，该比例第一季度接近 10%，第二季度为 13%。
预计这一比例将在第三季度达到约 24%，第四季度达到 34%。若该进度得以维持，1c 将在 2027 年第一季度超过较旧的 1b 制程。
在良率保持稳定的情况下，更小的制造节点可从一片晶圆中产出更多位元。这能提高成本效率，并扩大有效产出，无需以同样速度增加晶圆投片量。
SK hynix 预计，这一转型将同时支持通用产品以及未来的 AI 内存。其 1c DRAM 路线图将该制程直接衔接至预计接替 HBM4 的 HBM4E。
这在其产品组合的两端之间建立了一座桥梁。生产效率更高的 1c 产线可供应 DDR5 和服务器产品，同时为 SK hynix HBM4E 准备核心裸片。如果两类产品共享成熟的制程基础，公司便能获得更大的灵活性。
这一策略不同于其 HBM4 的决策。SK hynix 为 HBM4 采用了 1b DRAM，并搭配其成熟的 MR-MUF 封装方法。MR-MUF 填充堆叠裸片之间的空隙，在支持量产的同时有助于散热管理。
这种相对保守的 HBM4 选择减少了同时发生的制造变更数量。同步导入更新的 DRAM 制程节点和先进封装，可能增加执行风险。SK hynix 将这一组合推迟到 HBM4E。
然而，对 HBM4E 而言，仅靠稳定性已不足够。未来的加速器将要求更高带宽和更优的能效。Samsung 和 Micron 也会在这些产品实现大规模部署前进一步改进其制程。
因此，当前转型承载着两个目标。SK hynix 必须恢复其在更广泛 DRAM 市场中的生产效率，同时还必须确保 SK hynix HBM4E 能与基于同等先进制程打造的产品保持竞争力。
制造良率是核心不确定因素。良率衡量每片晶圆产出的可用芯片比例。新制程能够提升理论密度，但较低的良率可能抵消其成本与产能优势。
客户认证构成另一道关卡。AI 加速器厂商会测试内存的性能、热特性、可靠性以及与其系统的集成能力。只有获得客户批准后，制造商才能将技术样品转化为可观收入。
据报道的生产组合仍是行业估算，而非公司发布的季度序列数据。因此，相较于任何单一百分比，产能爬坡方向更具参考价值。实际良率和客户排期将决定这场转型能否兑现预期收益。
SK hynix 还批准了大规模的国内扩产计划。8 月，其董事会批准为第二座龙仁 fab 投资 35.2 万亿韩元，并为清州 M17 设施投资 19.1 万亿韩元。
这项 fab 投资计划总额达 54.3 万亿韩元。龙仁将被打造为包括 HBM 在内的下一代 DRAM 生产枢纽，而清州将扩大 NAND 产能。
新 fab 无法解决眼前的产能分配问题。半导体工厂需要数年时间建设、配备设备、完成认证并实现产能爬坡。短期业绩将更依赖于现有设施内的制程迁移和优化。
这一时间差使得 1c 爬坡成为最重要的运营应对措施。在最大规模的新设施达到有效产能之前，它提供了一条增加比特产出的路径。
韩国战略面临商品化 DRAM 的盲点
聚焦高端 AI 内存能够提升国家价值，但也会在支撑规模与客户覆盖的产品领域留下机会。
Samsung 和 SK hynix 使韩国仍然是先进内存生产的中心。其 HBM 能力让韩国供应商进入价值最高的 AI 加速器供应链。
然而，在高端产品领域占据领先地位，并不意味着传统 DRAM 在战略上已无关紧要。标准内存仍是 CPU、智能手机、个人电脑、网络设备和通用服务器的关键组成部分。
AI 系统本身也需要这两类内存。GPU 使用 HBM 实现极高速数据访问，而主机处理器则依赖大量传统服务器 DRAM。因此，AI 基础设施的增长可能同时收紧两个市场。
当成熟供应商将过多注意力从成熟细分市场转移时，风险便会显现。客户依然需要这些产品，而价格上涨会为愿意服务该市场的竞争者创造切入点。
中国的长鑫存储科技（CXMT）正说明了这一机会。Counterpoint 估计，CXMT 第二季度营收同比增长 716%。其扩张以传统 DRAM 和中国国内需求为中心。
另一份 CXMT 市场分析报道称，该公司通过上海上市募集了 295 亿元人民币，并计划将部分资金投入 DRAM 制程和研发。
CXMT 仍面临显著限制。先进设备获取、生产良率、热性能以及海外客户认证都可能拖慢其进展。大规模生产成熟 DRAM，也不同于认证具备竞争力的 HBM。
但这些限制不应掩盖其中的战略逻辑。供应缺口让新兴生产商得以扩大产量、积累制造经验，并深化客户关系。从传统产品中获得的利润，随后可以为更先进的研发提供资金。
同样的逻辑塑造了早期的内存周期。供应商先通过大批量生产积累制程知识，再进入要求更高的产品领域。即使初始产品在性能上并不领先，参与市场依然至关重要。
因此，韩国面临的是产品组合问题，而不是先进芯片与商品化芯片之间的简单选择。HBM 提供更高的战略价值，而传统 DRAM 则维持规模，并阻止竞争者获得机会。
SK hynix 最近的份额下滑让这种取舍变得可见。该公司并非一夜之间失去技术地位，而是让竞争对手在其最强业务以外的产品中夺取了更多营收增长。
Samsung 目前看起来更加均衡。它在扩大 HBM 的同时，仍保留了足够的布局以受益于传统产品定价。这并不能证明 Samsung 的策略将在每一代产品中取胜，但它在当前市场阶段强化了公司的表现。
政府政策的影响也有限。公共支持可以加快基础设施、人才培养、研发和国内供应链建设，但无法决定客户在每个季度会青睐何种产品组合。
企业执行力仍是决定性因素。韩国供应商必须及时完成产品认证、维持良率、确保设备供应，并协商能够保留灵活性的合同。这些任务发生在企业层面，尽管其结果具有国家层面的影响。
更大的风险是由整体主导地位带来的自满。Samsung 和 SK hynix 合计仍控制着全球 DRAM 的很大份额。这一综合地位可能掩盖两家公司不同的发展轨迹和新兴竞争。
一个有韧性的韩国战略需要两家公司都能在各个周期中有效竞争。一家公司无法永久弥补另一家公司错失的机会，尤其是在 Micron 和 CXMT 从不同方向扩张之际。
三项信号将显示 SK hynix 能否重获平衡
下一场考验可量化：1c 良率、HBM4 客户经济性，以及 SK hynix 与 Micron 之间的差距。
第一个信号是第四季度前的 1c 量产爬坡。行业估计预计，到年底 1c 将占 SK hynix DRAM 产量约 34%。
若能以稳定良率达到这一水平，将强化公司的成本竞争力并增加可供应的比特量。若未能达成，则会削弱传统 DRAM 与 SK hynix HBM4E 之间规划中的桥梁。
投资者应关注公司对比特增长、制程迁移和认证情况的评论，而非只盯着公布的生产份额。这些运营指标能够揭示新节点是否正产出可用规模的产量。
第二个信号是 HBM4 的定价和客户结构。随着较新的 Nvidia 和 AMD 系统进入市场，出货量在第三季度开始增加。这一转型应会减轻 HBM3E 价格下跌带来的影响。
仅凭出货量无法解决问题。关键在于，SK hynix 能否获取更高的 HBM4 价值，同时使合同能够灵活应对市场变化。除 Nvidia 需求外，客户多元化同样重要。
Samsung 的进展提供了比较基准。如果 Samsung 将不断增长的 HBM4 出货量与强劲的传统 DRAM 收入结合起来，其均衡路线将获得更高可信度。如果其先进制程导致良率问题，SK hynix 的稳定性优先决策将显得更具优势。
第三个信号是与 Micron 之间的营收份额差距。Counterpoint 认为，第二季度两家公司之间仅相差一个百分点。若 Micron 超越 SK hynix，将成为产品组合灵活性不足的明显警讯。
这种变化不会终结 SK hynix 在 HBM 领域的领导地位。但它会表明，即便 HBM 布局较小，竞争对手仍能通过服务器产品、定价和产能分配实现相近的 DRAM 营收。
CXMT 应列入更长期的观察名单，但其近期意义有所不同。其在传统 DRAM 份额上的增长将表明，成熟供应商留下了持久的市场缺口。若其朝着已获认证的 HBM 迈进，战略利害关系将进一步上升。
SK hynix 的 HBM 战略仍是 AI 硬件热潮中最清晰的成功案例之一。它让公司处于加速器供应的核心，并改变了其竞争地位。
如今，这一成功必须演进。SK hynix 需要维持可靠的 HBM 供应、提升合同灵活性、加快 1c 良率提升，并守住其更广泛的 DRAM 地位。要同时完成这四项任务，比单纯生产更多高端内存更难。
对开发者和企业 AI 买家而言，结果将影响加速器供应情况、服务器配置和基础设施成本。即使处理器可供货，内存供应也可能限制部署。
未来数月应会回答一个直接的问题：SK hynix 能否将其 HBM 专长转化为均衡的内存优势，还是 Samsung 和 Micron 将继续攫取其周边的增长机会？
